东芯股份(688110):国内存储芯片行业的领先企业
科创板新股系列:
东芯半导体股份有限公司
东芯股份是国内存储芯片行业的领先企业,公司可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司,设计研发的 24nm NAND、48nm NOR 均为我国领先的闪存芯片工艺制程,已达到可量产水平,实现了国内闪存芯片的 技术突破。公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片 产品,凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现,公司产品不仅在高通、博通、 联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商 获得认证,同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国 内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、 移动终端等终端产品。公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系,在工艺调试 设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作。双方 在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作, 研发了多种闪存芯片的标准工艺,提高了晶圆的产品良率和生产效率,继共同开 发大陆第一条 NAND Flash 工艺产线后,目前已将 NAND Flash 工艺制程推进至 24nm。公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作,在其 多条存储芯片先进制程的生产线上实现了产品的稳定量产,进一步扩充了产品种 类,提升了公司市场竞争力。在封装测试方面,公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。2019 公司 NAND 系列产品全球市场占比约为 1.26%;NOR Flash系列产品全球市场占比约为 0.86%;DRAM 系列产品全球市场占比约为 0.16%。
2021 年 1-9 月,公司实现营业收入为78,510.55万元,较上年度同期增长32.75%;归属于母公司股东的净利润为 16,810.12万元,较上年同期增长923.57%;扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润为16,199.53万元,较上年度同期增长935.25%。
公司预计 2021 年度营业收入区间为 110,000.00 万元至 115,000.00 万元,同比增长 40.25%-46.63%;归 属于母公司股东的净利润区间为 22,500.00 万元至 24,000.00 万元;归属于母公司 股东的扣除非经常性损益后的净利润区间为 21,800.00 万元至 23,300.00 万元。
发行人聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司,并能为 优质客户提供芯片定制开发服务。凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产 权,公司搭建了稳定可靠的供应链体系,设计研发的 24nm NAND、48nm NOR 均为我国领先的闪存芯片工艺制程,已达到可量产水平,实现了国内闪存芯片的 技术突破。
全球拥有较全存储芯片产品和规模化运营能力的存储芯片供应商主要集中 在海外及台湾地域,公司是中国大陆少数能同时提供 NAND Flash、NOR Flash 及 DRAM 产品并在中小容量闪存芯片市场与全球同行业知名公司直接竞争并突 破海外技术垄断的公司之一。
NAND Flash、NOR Flash 和 DRAM 为存储芯片的主要产品,三星电子、海 力士和美光科技等行业巨头占据了多数的市场份额。在闪存领域,公司凭借多年 的研发积累和深厚的技术积淀,在中小容量市场拥有了国内领先的闪存芯片设计 能力;同时公司是中国大陆极少数可提供 DRAM 产品的芯片设计公司。
公司的存储芯片产品具有低功耗、高可靠性等特点,目前已获得博通、联发 科、紫光展锐、中兴微等多家知名平台厂商认证,并进入三星电子、海康威视、 歌尔股份、传音控股等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、 安防监控、可穿戴设备、移动终端等领域。近年来公司销售规模增长较为明显, 尤其在闪存芯片方面,报告期各期公司分别实现销售收入 27,424.07 万元、 31,473.06 万元、58,088.03 万元和 31,873.50 万元,2018-2020 年复合增长率达到 45.54%。
随着公司在全球范围内业务的拓展,尤其在工业控制、汽车电子等新兴应用 领域的布局,公司的业务规模将持续攀升,公司在存储芯片领域的行业地位将得 到进一步的巩固和提升。
公司建立了以研发部为核心,多部门协同参与的研发体系,以市场实际需求 为导向,结合技术动态、工艺特点、用户反馈、竞品情况等,形成最优的产品开 发方案。
公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与 经验,匹配对应的技术分析并将分析结果上传本地数据库,建立了可查询、可比 对的产品研发平台,实现了研发资源的高效共享,缩短产品从设计到量产的研发 周期。
在研发平台系统下,公司根据不同产线与制程的工艺特点,通过大量数据分 析及模拟验证,总结了不同工艺制程下产品设计的技术要点,建立了针对不同工 艺制程的设计模块,为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。
公司作为 Fabless 设计公司,注重建立稳定可靠的供应链体系,与国内外多 家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系,积累了丰富的供 应链管理经验,有效保证了供应链运转效率和产品质量,打造了具有“本土深度、 全球广度”的供应链体系。
公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系,在工艺调试 设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作。双方 在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作, 研发了多种闪存芯片的标准工艺,提高了晶圆的产品良率和生产效率,继共同开 发大陆第一条 NAND Flash 工艺产线后,目前已将 NAND Flash 工艺制程推进至 24nm。公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作,在其 多条存储芯片先进制程的生产线上实现了产品的稳定量产,进一步扩充了产品种 类,提升了公司市场竞争力。
在封装测试方面,公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。
公司与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作,通过产品在平台厂商验证的 方式,不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度,还有助于缩短公 司产品在终端客户的导入时间。公司的多款产品已经获得了高通、博通、联发科 和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可,形成了广泛的产品导入渠道,在很大程 度上缩短了产品的验证周期,实现多类产品的销售协同。
公司致力于为客户提供高效、优质的服务。一般情况下,客户需要进行烧录、 板级测试、老化测试等步骤来使用公司产品,为确保产品的正常使用,公司搭建 了高效服务体系,建立了专业的技术支持团队即时响应客户的服务需求,为客户 有效运用公司产品提供了有力的保障。
知识产权作为集成电路设计的关键性技术成果,不仅是公司设计研发能力的 重要体现,也是推动公司技术创新发展、产品迭代升级的重要基础。公司高度重 视知识产权的自主性与完整性,经过多年持续不断的研发和创新,拥有多项发明 专利,相关专利自主完整、权属清晰。截至本招股意向书签署之日,公司共拥有 覆盖主流存储芯片的境内外发明专利 82 项,为公司强大的技术升级和产品研发 能力奠定了坚实基础。

三星电子主要从事电子产品的制造和销售以及半导体和显示部件的制造,其 产品在 DRAM 和 NAND Flash 领域都处于全球领先的位置。
海力士是一家主要从事半导体存储器的生产和销售业务的韩国公司,主要产 品包括 DRAM、NAND 等,该公司在全球范围内销售其产品。
华邦电子是一家台湾地区内存芯片的设计、制造与销售公司,其产品包含闪 存、动态随机存取内存,可提供全球客户全方位的中低密度利基型内存解决方案 服务。
兆易创新是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司,致力于存储器、控制器及周边产品的设计研发,其主要产品为 NOR Flash、NAND Flash 及 MCU,应 用于消费类电子产品、网络、电信设备及工业控制设备等领域。
2021 年 1-9 月,公司实现营业收入为78,510.55万元,较上年度同期增长32.75%;归属于母公司股东的净利润为 16,810.12万元,较上年同期增长923.57%;扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润为16,199.53万元,较上年度同期增长935.25%。
公司预计 2021 年度营业收入区间为 110,000.00 万元至 115,000.00 万元,同比增长 40.25%-46.63%;归 属于母公司股东的净利润区间为 22,500.00 万元至 24,000.00 万元;归属于母公司 股东的扣除非经常性损益后的净利润区间为 21,800.00 万元至 23,300.00 万元。


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